摘 要：为改善碳化硅（SiC）超结MOSFET体二极管的反向恢复特性并降低开关损耗，提出一种集成异质结二极管的超结MOSFET（SJH-MOSFET）新结构。该结构在栅槽底部引入与源极短接的P+多晶硅，与4H-SiC漂移区构成异质结续（试读）...
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